采用自适应死区时间和切相方法且极具吸引力的电源拓扑

我们提供了一种创新的电源拓扑解决方案，采用自适应死区时间和切相方法，结合高带隙GaN器件，提高了电源效率和减小了尺寸。我们的解决方案具有高压线路上的交流输入、高峰值效率和低谐波失真等特点。通过powerSUITE支持和内置的频率响应分析器，我们的解决方案可以帮助您轻松设计和验证控制环路。此外，我们还详细说明了自适应死区时间、切相和非线性电压补偿器的实现方式。通过采用我们的解决方案，您可以实现高效、稳定的电源拓扑，并缩短产品的开发周期。

我们提出了一种采用自适应死区时间和切相方法的极具吸引力的电源拓扑解决方案。该解决方案采用了交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC)，并使用高带隙 GaN 器件，以提高电源效率和减小尺寸。为了控制该功率级，我们使用了C2000™ MCU和LMG3410 GaN FET模块。为了提高效率，我们采用了自适应死区时间和切相方法，并引入非线性电压补偿器来减少瞬态期间的过冲和下冲。此外，我们选择了基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。通过使用硬件和软件，我们的解决方案可以帮助您缩短产品上市时间。

该解决方案具有以下特性：
- 在高压线路上具有交流输入 (90-230Vrms)、50-60Hz 和 3.3KW 额定功率。
- 峰值效率为98.75%，总谐波失真 (THD) 小于2%。
- 提供powerSUITE支持，使设计适应用户要求更加轻松。
- 内置频率响应分析器 (SFRA)，以验证和设计控制环路。
- 低过零失真。
- 详细说明了自适应死区时间、切相和非线性电压补偿器的实现方式。
- 功率级控制可以在C28x CPU或并行CLA上运行。

通过采用我们的解决方案，您可以实现高效、稳定的电源拓扑，并缩短产品的开发周期。